Leistungsstarke GaN-Doppelhalbbrücke als Leiterplatte: 6-Lagen-Design für 20 A Schaltstrom

GaN-Leistungsplatine: Hohe Schaltleistung auf einer 6-Lagen-Leiterplatte

Galliumnitrid (GaN) ermöglicht schnelleres und effizienteres Schalten als herkömmliches Silizium, verlangt aber sorgfältige Entwicklungsarbeit. Unser Kunde brauchte eine leistungsstarke Platine auf Basis modernster GaN-Technologie.

CADLETE Designs entwickelte ein komplexes Leiterplattensystem mit GaN-Doppelhalbbrücke, das am Ausgang eine sehr hohe Schaltleistung von über 12 V und 20 A liefert. Um diese Komplexität zu beherrschen, wurde die Platine mit einem 6-Lagen-Aufbau umgesetzt.

Neben der Leistungsstufe integrierten wir zahlreiche Peripheriebauteile, darunter ADCs zur Messung von Spannung, Strom und Temperatur. Außerdem ergänzten wir Peripherie-Steckverbinder und zusätzliche Debug-Kanäle für den hochkomplexen Prozessor auf der Platine.

Das Ergebnis ist eine fortschrittliche Leistungselektronik-Plattform, die hohe Ausgangsleistung, präzise Messung und entwicklerfreundlichen Zugang auf einer Platine vereint.